پرظرفیت‌ترین تراشه هوش مصنوعی جهان رونمایی شد

شرکت سامسونگ از یک تراشه حافظه جدید رونمایی کرده است که ادعا می‌کند بالاترین ظرفیت تا به امروز را برای برنامه‌های کاربردی هوش مصنوعی دارد.

به گزارش ایتنا از ایسنا، این تراشه HBM۳E ۱۲H نام دارد و ظاهراً اولین تراشه ۱۲ پشته‌ای حافظه با پهنای باند بالا(HBM) در جهان است. این تراشه نوعی حافظه نیمه‌رساناست که برای ذخیره مقادیر زیادی داده با هزینه نسبتا کم مناسب است.

یونگ چئول بائه معاون اجرایی سامسونگ می‌گوید: ارائه‌ دهندگان خدمات هوش مصنوعی در این صنعت به طور فزاینده‌ای به HBM با ظرفیت بالاتر نیاز دارند و محصول جدید HBM۳E ۱۲H ما برای پاسخگویی به این نیاز طراحی شده است.

وی افزود: این راه حل جدید حافظه بخشی از انگیزه ما به سمت توسعه فناوری‌های اصلی برای HBM با لایه بالا و ارائه رهبری فناوری برای بازار HBM با ظرفیت بالا در عصر هوش مصنوعی است.

سامسونگ می‌گوید که HBM۳E ۱۲H پهنای باند بی‌سابقه‌ای تا ۱۲۸۰ گیگابایت(۱.۲۵ ترابایت) در ثانیه ارائه می‌کند و استاندارد صنعتی جدیدی را با ظرفیت ۳۶ گیگابایت تنظیم می‌کند.

این تراشه در مقایسه تراشه پیشین موسوم به HBM۳ ۸H  با ۸ پشته، هم پهنای باند و هم ظرفیت پیشرفت‌های قابل توجهی را نشان می‌دهد که حکایت از پیشرفت بیش از ۵۰ درصدی دارد.

یک روز پس از معرفی میکرون
این رونمایی یک روز پس از آن اتفاق می‌افتد که شرکت رقیب سامسونگ یعنی میکرون(Micron) از تولید انبوه تراشه ۲۴ گیگابایتی خود به نام  ۸L HBM۳E خبر داد که آن هم تراشه‌ای بسیار سریع است و در رایانه‌ها برای کاربردهایی مانند هوش مصنوعی فوق‌العاده هوشمند و گرافیک فوق‌العاده دقیق استفاده می‌شود.

داستان از این قرار است که HBM۳E بخشی از پردازنده‌های گرافیکی NVIDIA H۲۰۰ خواهد بود که در سه ماهه دوم سال ۲۰۲۴ عرضه می‌شوند. این امر H۲۰۰ را حتی قدرتمندتر می‌کند، زیرا می‌تواند داده‌های بیشتری را ذخیره کند و آنها را به سرعت ارسال کند.

شرکت میکرون می‌گوید حافظه HBM۳E آن می‌تواند بیش از ۱.۲ ترابایت داده را در هر ثانیه جابجا کند که مشابه پهنای باند ۱.۲۵ ترابایتی سامسونگ است.

اما آنچه جدیدترین فناوری سامسونگ را متمایز می‌کند این است که دارای ۱۲ لایه برای برآورده کردن الزامات فعلی بسته HBM و در عین حال همان ارتفاع تراشه‌های ۸ لایه است.

انتظار می‌رود این فناوری به ویژه در مورد لایه‌های بالاتر مزایای قابل توجهی را ارائه دهد، زیرا نگرانی‌های مربوط به تاب برداشتن قالب تراشه مرتبط با قالب نازک‌تر را برطرف می‌کند.

سامسونگ مواد نوار غیر رسانای(NCF) خود را بهبود بخشیده و کوچک‌ترین فاصله بین تراشه‌ها را به اندازه هفت میکرومتر ایجاد کرده و شکاف‌های بین لایه‌ها را حذف کرده است. این تغییرات چگالی عمودی را بیش از ۲۰ درصد در مقایسه با محصول قبلی افزایش داده است.

سامسونگ سال گذشته پشت سر شرکت SK Hynix و میکرون بود. به خصوص دیروز که میکرون از تولید انبوه تراشه ۲۴ گیگابایتی خود خبر داد، همه منتظر واکنش سامسونگ بودند.

اکنون اما با معرفی این محصول، خود را به عنوان یک پیشگام در صنعت تراشه‌های HBM مطرح کرده است.

در ماه سپتامبر گزارش شد که سامسونگ قراردادی را برای تامین تراشه‌های HBM۳ با شرکت انویدیا منعقد کرده و تسلط SK Hynix در بازار تراشه‌های حافظه با کارایی بالا را به چالش می‌کشد. شرکت SK Hynix قبلاً تنها تولید کننده انبوه تراشه‌های HBM۳ بود که آن را به انویدیا عرضه می‌کرد.

هان جین من، معاون اجرایی ناظر بر تجارت نیمه‌رسانای سامسونگ در ایالات متحده در نمایشگاه CES ۲۰۲۴ اعلام کرد که سامسونگ قصد دارد تولید تراشه HBM خود را به میزان قابل توجهی افزایش دهد.

شرکت میکرون در حال حاضر سهم متوسطی از بازار جهانی HBM دارد و برای افزایش سهم خود در حال سرمایه‌گذاری هنگفتی روی محصول نسل بعدی خود موسوم به HBM۳e است.