میکرون و آینده‌ی حافظه‌ های GDDR

شرکت میکرون گزارش داده است که با استفاده از آخرین نسل از حافظه‌های GDDR5X، توانسته رکورد ۱۶ گیگابیت بر ثانیه را بشکند. همچنین برنامه‌های خود را برای حافظه‌های GDDR5 و GDDR6 اعلام کرده است. حافظه‌های GDDR6 به‌زودی و پس از چند فصل وارد عرصه‌ی رقابت خواهند شد و این در حالی است که حافظه‌های GDDR5 برای مدت طولانی مورد استفاده قرار خواهند گرفت.

حافظه‌های DRAM برای کارت‌های گرافیکی، یکی از موضوعات داغ صنعت است؛ زیرا نیاز به پهنای باند بالای حافظه، نیاز رو به رشدی است و شرکت‌های مختلفی با ارائه‌ی انواع مختلفی از حافظه‌ها، درصدد برآورده ساختن این نیاز هستند. برای مثال SK Hynix و سامسونگ حافظه‌های نسل اول و دوم HBM را در سال‌های ۲۰۱۵ و ۲۰۱۶ برای کاربران سیستم‌های حرفه‌ای و کاربردهای HPC روانه‌ی بازار کردند. در این میان و در سال گذشته، شرکت میکرون نیز حافظه‌های GDDR5X خود را برای کارت‌های گرافیک حرفه‌ای عرضه کرد. اکنون حافظه‌های HBM پهنای باند مورد نیاز برای کاربردهای مختلف را تأمین می‌کند؛ ولی تراشه‌های چندلایه‌ای و پکیجینگ ۲.۵ بعدی باعث می‌شوند هزینه‌های آن در سطح بالایی باشد. بنابراین انتخاب این نوع حافظه‌ بستگی به کاربرد و نیازهای کاربر دارد. با این حال، معماری بهبودیافته‌ی پکیجینگ کارت‌های گرافیک معمول که از نوع BGA است، پایدار خواهد بود و کارایی آن افزایش می‌یابد. تمامی این عوامل باعث می‌شود حافظه‌های گرافیکی معمول، بتوانند در ادامه‌ی راه به رقابت خود ادامه دهند.

مقاله‌های مرتبط:

هنگامی که میکرون در اواخر سال ۲۰۱۵، حافظه‌های جدید GDDR5X را معرفی کرد، دو هدف را در سر می‌پروراند: در قدم اول رسیدن به پهنای باند ۱۰ و ۱۲ گیگابیت بر ثانیه و سپس افزایش پهنای باند تا ۱۶ گیگابیت بر ثانیه در درازمدت. ابتدا شرکت میکرون آی‌سی‌های خود را با پهنای باند ۱۰ و ۱۱ گیگابیت ارائه کرد؛ اما امسال توانست حافظه‌هایی با فرکانس ۱۲ گیگابیت بر ثانیه نیز به‌صورت آزمایشگاهی تولید کند. مدل دوم روی کارت‌های گرافیک تایتان XP استفاده شده است. نکته‌ی حائز اهمیت این است که متخصصین شرکت میکرون در مرکز توسعه‌ی این شرکت واقع در مونیخ، اخیرا توانسته‌اند این نوع از حافظه‌ها را با پهنای باند ۱۶ گیگابیت بر ثانیه راه‌اندازی کنند.

با اینکه دستاوردهای اخیر بر محصولات موجود در بازار تأثیری نگذاشته است، می‌توان دو مورد از تأثیرهای مهم آن را بیان کرد. اولین نکته این است که میکرون توانسته روند کاری خود را به‌گونه‌ای بهبود دهد که نتیجه‌ی آن، تولید حافظه‌هایی با پهنای باند ۱۶ گیگابیت بر ثانیه باشد و این دقیقا چیزی است که فناوری امروزه به آن نیاز دارد. دومین نکته‌ی مهم، پتانسیل حافظه‌های GDDR5X است؛ بنابراین مشتریان میکرون ممکن است محصولات جدیدی با حافظه‌ی سریع‌تر ارائه کنند.

میکرون چند سالی است مشغول کار روی حافظه‌های GDDRX و پیاده‌سازی فیزیکی چنین حافظه‌هایی است. از سوی دیگر، روی حافظه‌های GDDR6 کار می‌کند تا بتواند در اوایل سال ۲۰۱۸ آن را عرضه کند. در واقع حافظه‌ی GDDR5X با GDDR6 تفاوت چندانی ندارد. معماری پیش‌فرض هر دو بر اساس تکنولوژی ساخت ۱۶ نانومتری است و کلیدی‌ترین دلیل افزایش کارایی آن‌ها نسبت به حافظه‌های GDDR5، همین تکنولوژی ساخت آن‌ها است. در عین حال GDDR6 از ویژگی ۲ کاناله بودن نیز بهره‌مند است و در کاربردهایی که بتوانند از این ویژگی استفاده کنند، بهبود کارایی را شاهد خواهیم بود.

نوع حافظه GDDR5 GDDR5X GDDR6
ظرفیت ۴ الی ۸ گیگابایت ۸ گیگابایت ۸ گیگابایت
پهنای باند ۵ الی ۸ گیگابایت بر ثانیه ۱۰ الی ۱۲ گیگابایت بر ثانیه بیش از ۱۲ گیگابایت بر ثانیه
فناوری ساخت بیشتر از ۲۰، ۲۰ و ۱۶ نانومتر ۲۰ نانومتر ۱۶ نانومتر

با این حال میکرون از خط تولید ۱۶ نانومتری برای تولید حافظه‌های GDDR6 استفاده خواهد کرد که به معنی پتانسیل بیشتر برای افزایش پهنای باند است. حال که صحبت از فناوری ساخت ۱۶ نانومتری شد، جالب است این حقیقت را بدانید که میکرون، حافظه‌های جدید GDDR5 خود را نیز با این فناوری می‌سازد؛ این کار به این معنی است که حافظه‌های GDDR5 در سال‌های آتی نیز روی کارت‌های گرافیکی و کنسول‌های بازی مورد استفاده قرار خواهند گرفت.

در انتها باید گفت میکرون توانسته است در حالت آزمایشگاهی و با حافظه‌های GDDR5X به پهنای باند ۱۶ گیگابیت بر ثانیه برسد؛ چنین چیپ‌هایی با استفاده از فناوری ساخت ۲۰ نانومتری تولید شده‌اند. در عین حال میکرون تا سال ۲۰۱۸ روی فناوری ساخت ۱۶ نانومتری برای تولید حافظه‌های GDDR5 و GDDR6 کار می‌کند.

منبع: زومیت